A hőpárolgásos bevonatok végső útmutatója
A termikus párologtatásos bevonatolás az egyik legalapvetőbb és legszélesebb körben alkalmazott vékonyréteg-előállítási módszer. fizikai gőzleválasztás (PVD)A 20. század elején történt megszületése óta pótolhatatlan szerepet játszik számos területen, például az optikában, az elektronikában, az anyagtudományban, a repülőgépiparban stb.
- Low Cost
- Jó filmegyenletesség
- Magasabb filmlerakódási sebesség
- Erős film-hordozó kötés
Wstitanium műhely
Hatékony létesítményeink
Minden, amit a hőpárologtatásos bevonatokról tudni kell
A termikus párologtatásos bevonatolás az egyik klasszikus és kiforrott fizikai gőzfázisú leválasztási technológia. Világos alapelveinek, egyszerű berendezéseinek és stabil filmminőségének köszönhetően az elmúlt 100 évben is megőrizte életképességét. Ez a blogbejegyzés a termikus párologtatásos bevonatolási rendszert ismerteti az alapelvektől a gyakorlati alkalmazásokig, és referenciákat nyújt a kapcsolódó területeken végzett kutatásokhoz.
A termikus párolgásos bevonatolás lényege, hogy az anyagot nagy vákuumban, speciális melegítéssel a párolgási hőmérsékletre melegítik, így az szilárd halmazállapotból gáz halmazállapotúvá válik. Az elpárolgott atomok vagy molekulák vákuumban lineáris mozgással kilökődnek az aljzat felületére, majd lecsapódnak és lerakódnak az aljzaton. A bevonóanyag atomjai vagy molekulái gáz formájában szabadon mozognak, végül rendezett módon elrendeződnek az aljzat felületén, így egy meghatározott funkciókkal és teljesítményű filmréteget építenek fel.
Más bevonási technológiákkal összehasonlítva a párologtatásos bevonatolás egyedi előnyökkel és jellemzőkkel rendelkezik. Berendezése viszonylag egyszerű, költsége viszonylag alacsony, és versenyképes a nagyméretű gyártásban. A párologtatásos bevonatolás magas lerakódási sebességet ér el. Nagy vákuumkörnyezetben a szennyeződések bejutása hatékonyan elkerülhető, ezáltal nagy tisztaságú filmet kapunk.
A termikus párologtatásos bevonat elve
A termikus párologtatásos bevonatolás során a vákuumkörnyezet egy tiszta színpadhoz hasonlít, amely biztosítja a szükséges feltételeket az atomok és molekulák rendezett „működéséhez”. Amikor a rendszer nagy vákuumállapotban van, a gázmolekulák száma rendkívül kicsi, ami nagymértékben csökkenti annak valószínűségét, hogy a párologtatott atomok vagy molekulák ütközzenek más gázmolekulákkal az átvitel során.
Fűtési mechanizmus
A melegítés a párolgásos bevonat egyik fő láncszeme, amely hőt ad át a bevonóanyagnak, fokozatosan növelve annak hőmérsékletét. Amikor a hőmérséklet eléri a bevonóanyag párolgási hőmérsékletét, az anyagmolekulák elegendő energiára tesznek szert, legyőzik a molekulák közötti kölcsönhatási erőt, és elkezdenek szilárd halmazállapotból gáz halmazállapotúvá válni, ami párolgás. A hőátadás és a hő hatékonysága közvetlenül befolyásolja a párolgás sebességét és egyenletességét. Az ellenállásfűtés példájaként véve, hő keletkezik, amikor az áram áthalad az ellenálláshuzalon. A hővezetés átadja a hőt a bevonóanyagnak. Ha az ellenálláshuzal hőmérséklet-eloszlása egyenetlen, az a bevonóanyag egyenetlen melegedését okozza, ezáltal befolyásolva a párolgás egyenletességét.
Párolgási mechanizmus
A párolgás nem egy egyszerű anyagállapot-átmenet, amely összetett párolgási dinamikus mechanizmust foglal magában. A molekuláris mozgáselmélet szerint egy anyag párolgási sebessége szorosan összefügg olyan tényezőkkel, mint az anyag hőmérséklete és gőznyomása. Minél magasabb az anyag gőznyomása, annál gyorsabb a párolgási sebesség. Amikor a bevonó anyagot melegítik, miután a felületén lévő molekulák energiát nyernek, néhány molekula elegendő energiával rendelkezik ahhoz, hogy legyőzze a felületi energiát, ezáltal elhagyja az anyag felületét és gázfázisba lép. A hőmérséklet emelkedésével az ilyen energiával rendelkező molekulák száma növekszik, és a párolgási sebesség is gyorsul. A párolgást olyan tényezők is befolyásolják, mint az anyag felületi állapota és a környező gázkörnyezet. Ha szennyeződések vagy hibák vannak az anyag felületén, az befolyásolhatja a molekulák párolgási viselkedését; és a környező gázkörnyezet nyomása és összetétele is bizonyos hatással van a párolgási sebességre.
Lerakódás és filmképződés
Amikor az elpárologtatott atomok vagy molekulák gáz formájában vákuumkörnyezetbe kerülnek, szabadon mozognak a vákuumban, atom- vagy molekulaáramlást képezve. Amint ezek az atomok vagy molekulák érintkezésbe kerülnek az aljzat felületével, az aljzat felülete adszorbeálja őket, fizikai adszorpciós réteget képezve. Ahogy az adszorbeált atomok száma folyamatosan növekszik, egy bizonyos kritikus koncentráció elérésekor apró kristálymagok alakulnak ki az aljzat felületén. Miután a kristálymagok kialakultak, tovább adszorbeálják a környező atomokat, és fokozatosan növekednek. A szomszédos kristálymagok egymással is összeolvadnak, végül folytonos filmet képezve. A vékonyrétegek növekedése során az atomlerakódási sebesség és a felületi diffúziós sebesség fontos hatással van a film szerkezetére és tulajdonságaira.
Ha az atomlerakódási sebesség túl gyors, a felületi diffúziós sebesség pedig túl lassú, az több hibát és pórust eredményezhet a filmben; ezzel szemben, ha a felületi diffúziós sebesség gyors, az atomok teljesen diffundálhatnak és rendezett módon elrendeződhetnek, így sűrű szerkezetű és kiváló teljesítményű filmet kaphatunk.
Termikus párologtatásos bevonat típusai
A lézeres párologtatásos bevonatolás nagy energiasűrűségű lézersugarat használ a bevonóanyag besugárzására, így az gyorsan elnyeli a lézerenergiát, és a hőmérséklet hirtelen megemelkedik, ezáltal azonnali párolgást ér el. A lézeres párologtatásos bevonat rendkívül magas párolgási sebességgel és párolgási hatékonysággal rendelkezik, és rövid idő alatt befejezi a vékonyrétegek lerakódását.
Az ellenállás párologtatásos bevonása azt a folyamatot jelenti, amelyben az áram áthalad az ellenállás anyagán, hőt termelve, amely átjut a bevonóanyagra, hogy elérje a párolgási hőmérsékletet, ezáltal bevonatot képezve. Alkalmas alacsony olvadáspontú fémekhez és ötvözetekhez, például alumíniumhoz, ezüsthöz és rézhez.
Az elektronsugaras párologtatásos bevonatolás elektronágyút használ nagysebességű elektronsugár előállítására. Az elektronsugarat elektromos tér hatására felgyorsítják, majd egy elektromágneses lencsén keresztül a bevonóanyagra fókuszálják. Az atomok vagy molekulák elegendő energiát nyernek ahhoz, hogy szilárd halmazállapotból gáz halmazállapotúvá alakuljanak a párolgás érdekében.
Termikus párologtatásos bevonóanyagok
| Szimbólum | Olvadáspont °C | Sűrűség | Z-arány | Hőmérséklet °C @ Gőznyomás (Torr) | Párolgási módszer | Tégelybélés | Megjegyzések | ||
| Al | 660 | 2.7 | 1.08 | 677 | 821 | 1010 | eBeam (Xlnt) | TiB2-TiC, TiB2-BN, | Magas lerakódási sebesség lehetséges. Az Al nedvesíti az IMCS-t |
| grafit, BN | |||||||||
| AlSb | 1080 | 4.3 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | TiB2-BN, BN, C, Al2O3 | Az együttes párologtatás a legjobb módszer |
| AAs | 1600 | 3.7 | - | - | - | ~ 1300 | eBeam (gyenge) | TiB2-BN, BN, Al2O3 | Az együttes párologtatás működhet, de jellemzően MBE-vel végzik. |
| AlBr3 | 97 | 3.01 | - | - | - | ~ 50 | eBeam (gyenge) | grafit, W | Vízmentes AlBr3 por e-sugárral vagy termikus párologtatással történő elpárologtatása |
| Al4C3 | 1400 | 2.36 | - | - | - | ~ 800 | eBeam (tisztességes) | grafit, W | eBeam párologtatás porból, de a CVD jobb megközelítés |
| Al2%Cu | 640 | 2.8 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | TiB2-TiC, BN | Az Al-Cu ötvözetek eBeam párologtatása lehetséges, de a porlasztásos leválasztás jobb megközelítés. |
| AlF3 | 1257 | 3.07 | - | 410 | 490 | 700 | eBeam (tisztességes) | grafit, Mo, W | A fóliák általában porózusak, de simák |
| fenséges | fenséges | ||||||||
| AlN | - | 3.26 | - | - | - | ~ 1750 | eBeam (tisztességes) | TiB2-TiC, | Al reaktív párolgása N2-ben vagy ammónia parciális nyomásában |
| fenséges | grafit, BN | ||||||||
| Al2O3 | 2045 | 3.97 | 0.336 | - | - | 1550 | eBeam (Xlnt) | W, grafit | Alacsony lerakódási sebességű (< 3 Å/sec) nyiladéksugár |
| Al2%Si | 640 | 2.6 | - | - | - | 1010 | eBeam (tisztességes) | TiB2-TiC, BN | Az Al-Si ötvözetek eBeam párologtatása lehetséges, de a porlasztásos leválasztás jobb megközelítés. |
| Sb | 630 | 6.68 | - | 279 | 345 | 425 | eBeam (tisztességes) | BN, grafit, Al₂O₃ | Ahogy a lerakódási sebesség 3-5 Å/s-ról növekszik, a szemcseméret csökken és a filmfedettség javul. |
| fenséges | |||||||||
| Sb2Te3 | 619 | 6.5 | - | - | - | 600 | eBeam (tisztességes) | grafit, BN, W | A legjobb eredményeket porított alapanyaggal érik el, viszonylag magas lerakódási sebesség érhető el. |
| Sb2O3 | 656 | 5.2 vagy 5.76 | - | - | - | ~ 300 | eBeam (jó) | BN, Al₂O₃ | eBeam párologtatás porból vagy granulátumból |
| fenséges | |||||||||
| Sb2Se3 | 611 | - | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | grafit | Se-nel együtt párologtatható a változó sztöchiometrikus hatások leküzdésére |
| Sb2S3 | 550 | 4.64 | - | - | - | ~ 200 | eBeam (jó) | Al₂O₃, Mo, Ta | A hordozófűtés nélküli filmek amorfak, míg a melegített hordozókon polikristályos filmek képződnek. |
| As | 814 | 5.73 | - | 107 | 150 | 210 | eBeam (gyenge) | Al₂O₃, BeO, | Az elemi arzén lerakódásának előnyben részesített módszere a porlasztásos leválasztás. |
| grafit | |||||||||
| As2Se3 | 360 | 4.75 | - | - | - | - | eBeam (gyenge) | Al₂O₃, kvarc | A lerakódási hatékonyság a lerakódási sebességgel növekszik |
| As2S3 | 300 | 3.43 | - | - | - | ~ 400 | eBeam (tisztességes) | Al₂O₃, kvarc, Mo | A vékonyrétegek általában gazdagabbak a kiindulási anyaghoz képest |
| As2Te3 | 362 | - | - | - | - | - | eBeam (gyenge) | Al₂O₃, kvarc | A CVD az előnyben részesített leválasztási technika ennél az anyagnál. |
| Ba | 710 | 3.78 | - | 545 | 627 | 735 | eBeam (tisztességes) | Ny, Ta, Mo | Reagál kerámiákkal. A Ba párologtató pelleteket gyakran védőbevonattal szállítják, amelyet el kell távolítani. |
| BaCl2 | 962 | 3.86 | - | - | - | ~ 650 | eBeam (gyenge) | Ny, Mo | Söprő sugár és lassú teljesítményrámpa a forrásanyag előkészítéséhez és gáztalanításához |
| BaF2 | 1280 | 4.83 | - | - | - | ~ 700 | eBeam (tisztességes) | Ny, Mo | A törésmutató jobb állandóságát CVD-vel érik el. |
| fenséges | |||||||||
| Gerenda | 1923 | 5.72 vagy 5.32 | - | - | - | ~ 1300 | eBeam (tisztességes) | Al₂O₃, kvarc | Söprő sugár és lassú teljesítményrámpa a forrásanyag előkészítéséhez és gáztalanításához |
| Alacsony | 2200 | 4.25 | - | - | - | 1100 | eBeam (gyenge) | Ny, Mo | A porlasztásos leválasztás az előnyben részesített leválasztási technika. |
| BaTiO3 | Bomlik | 6 | - | Bomlik | eBeam (gyenge) | Ny, Mo | A BaTiO3 egyetlen forrásként bomlik le. A Ba/Ti arány fenntartása érdekében a Ti-vel együtt párologtassuk el. | ||
| Be | 1278 | 1.85 | - | 710 | 878 | 1000 | eBeam (Xlnt) | grafit | Nagyon magas lerakódási arány lehetséges. Kerülje a beril por forrásokat a toxicitás miatt. |
| BeCl2 | 440 | 1.9 | - | - | - | ~ 150 | eBeam (gyenge) | grafit | A CVD az előnyben részesített leválasztási technika ennél az anyagnál. |
| BeF2 | 800 | 1.99 | - | - | - | ~ 200 | eBeam (tisztességes) | grafit | Kerülje a porforrásokat a toxicitás miatt |
| fenséges | |||||||||
| BeO | 2530 | 3.01 | - | - | - | 1900 | eBeam (tisztességes) | grafit, Al₂O₃ | Vékonyrétegek is előállíthatók Be és O2 reaktív párologtatásával. |
| Bi | 271 | 9.8 | - | 330 | 410 | 520 | eBeam (Xlnt) | Al₂O₃, grafit | A lerakódás utáni hőkezelés jelentősen javítja a film tulajdonságait. A gőzök azonban mérgezőek. |
| BiF3 | 727 | 8.75 | - | - | - | ~ 300 | eBeam (gyenge) | grafit | Viszonylag alacsony hőmérsékleten szublimál, így elfogadható gőznyomás érhető el |
| fenséges | |||||||||
| Bi2O3 | 820 | 8.9 | - | - | - | ~ 1400 | eBeam (gyenge) | - | Az e-nyaláb párolgása Bi2O3 forrásból lehetséges, de a vékonyréteg sztöchiometriájában eltérések előfordulhatnak. |
| Bi2Se3 | 710 | 7.66 | - | - | - | ~ 650 | eBeam (tisztességes) | grafit, kvarc | A porlasztásos leválasztás előnyös, de |
| Bi és Se források felhasználásával együttes párologtatás lehetséges | |||||||||
| Bi2Te3 | 585 | 7.85 | - | - | - | ~ 600 | eBeam (tisztességes) | grafit, kvarc | A porlasztásos leválasztás előnyös, de |
| Bi és Te források használatával együttes párologtatás lehetséges | |||||||||
| Bi₂Ti₂O₇ | - | - | - | Bomlik | eBeam (gyenge) | grafit, kvarc | Elpárolgáskor lebomlik. A porlasztásos lerakódás az előnyös, de reaktívan együtt-párologtatható O2 parciális nyomáson. | ||
| Bi2S3 | 685 | 7.39 | - | - | - | - | eBeam (gyenge) | grafit, W | Bi- és S-forrásokból együtt párologtatható |
| B | 2100 | 2.36 | 0.389 | 1278 | 1548 | 1797 | eBeam (Xlnt) | grafit, W | Reakcióba léphet grafit és volfrám olvasztótégely béléssel. Nagy teljesítményt igényel a párologtatáshoz. |
| fenséges | |||||||||
| B4C | 2350 | 2.5 | - | 2500 | 2580 | 2650 | eBeam (jó) | grafit, W | Az ionokkal segített eBeam leválasztás Ar-ral javíthatja a film tapadását |
| BN | 2300 | 2.2 | - | - | - | ~ 1600 | eBeam (gyenge) | grafit, W | Az ionokkal segített eBeam leválasztás N2-vel sztöchiometrikus vékonyrétegeket eredményez, de a porlasztásos leválasztás előnyösebb. |
| fenséges | |||||||||
| B2O3 | 460 | 1.82 | - | - | - | ~ 1400 | eBeam (jó) | Ny, Mo | Az eBeam párologtatása ömlesztett forrásanyagból sztöchiometrikus vékonyrétegeket eredményez |
| B2S3 | 310 | 1.55 | - | - | - | 800 | eBeam (gyenge) | grafit | - |
| Cd | 321 | 8.64 | - | 64 | 120 | 180 | eBeam (tisztességes) | Al₂O₃, kvarc | Dedikált rendszer ajánlott, mivel a kadmium szennyezheti a többi, tisztaságra érzékeny lerakódást. |
| CdSb | 456 | 6.92 | - | - | - | - | - | - | - |
| Cd3As2 | 721 | 6.21 | - | - | - | - | eBeam (gyenge) | kvarc | Vékonyrétegek eBeam párologtatással állíthatók elő ömlesztett alapanyagból, de a CVD az előnyös leválasztási módszer. |
| CdBr2 | 567 | 5.19 | - | - | - | ~ 300 | - | - | - |
| Kadmium-klorid | 570 | 4.05 | - | - | - | ~ 400 | - | - | - |
| CdF2 | 1070 | 5.64 | - | - | - | ~ 500 | - | - | - |
| CdI2 | 400 | 5.3 | - | - | - | ~ 250 | - | - | CdI2 filmeket választottak le üvegfelületekre sztöchiometrikus porok felhasználásával termikus párologtatással. |
| CdO | 900 | 6.95 | - | - | - | ~ 530 | eBeam (gyenge) | Al₂O₃, kvarc | Előállítható Cd reaktív elpárologtatásával O2 parciális nyomásán, vagy reaktív porlasztással O2-vel. |
| CdSe | 1264 | 5.81 | - | - | - | 540 | eBeam (jó) | Al₂O₃, kvarc, grafit | Az eBeam párologtatása ömlesztett forrásanyagból egyenletes filmeket hoz létre |
| CdSiO2 | - | - | - | - | - | ~ 600 | - | - | A CVD általi lerakódásról szóló szakirodalmi beszámolók |
| CdS | 1750 | 4.82 | - | - | - | 550 | eBeam (tisztességes) | Al₂O₃, kvarc, grafit | Az aljzat melegítése javítja a film tapadását. 15 Å/s lerakódási sebesség is lehetséges. |
| fenséges | |||||||||
| CdTe | 1098 | 6.2 | - | - | - | 450 | eBeam (tisztességes) | Al₂O₃, kvarc, grafit | eBeam leválasztással üvegfelületre felvitt, kiváló minőségű CdTe vékonyrétegeket állítottak elő 100°C-on. |
| Ca | 842 | 1.56 | - | 272 | 357 | 459 | eBeam (gyenge) | Al₂O₃, kvarc | A Ca oxidációjának elkerülése érdekében alacsony O2 parciális nyomásra van szükség a vákuumkamrában. |
| fenséges | |||||||||
| CaF2 | 1360 | 3.18 | - | - | - | ~ 1100 | eBeam (Xlnt) | kvarc, Ta | Az eBeam leválasztással könnyen elérhető 20 Å/s leválasztási sebesség. |
| Az aljzat melegítése javítja a film minőségét | |||||||||
| Magas | 2580 | 3.35 | - | - | - | ~ 1700 | eBeam (gyenge) | ZrO2, grafit | Illékony oxidokat képez W-vel és Mo-val |
| CaO-SiO2 | 1540 | 2.9 | - | - | - | - | eBeam (jó) | kvarc | Az 500°C-on történő utólagos hőkezelés javítja a film minőségét és tapadását |
| CaS | - | 2.18 | - | - | - | 1100 | eBeam (gyenge) | ZrO2, grafit | A CaS tömbi alapanyagának bomlása kiküszöbölhető S-sel való együttes bepárlással. |
| fenséges | |||||||||
| CaTiO3 | 1975 | 4.1 | - | 1490 | 1600 | 1690 | eBeam (gyenge) | - | A porlasztásos leválasztás az előnyben részesített módszer |
| CaWO4 | 1620 | 6.06 | - | - | - | - | eBeam (jó) | W, ZrO2 | Az aljzat melegítése javítja a lerakódás kristályosságát |
| C | - | 1.8-2.3 | 0.22 | 1657 | 1867 | 2137 | eBeam (Xlnt) | grafit, W | Az eBeam párolgása jobb filmtapadást eredményez a vákuumos ívleválasztáshoz képest. |
| fenséges | fenséges | ||||||||
| Ce | 795 | 8.23 | - | 970 | 1150 | 1380 | eBeam (jó) | Al₂O₃, BeO, | A Ce-lerakódások levegővel érintkezve könnyen oxidálódnak |
| grafit | |||||||||
| CeO2 | 2600 | 7.3 | - | 1890 | 2000 | 2310 | eBeam (jó) | grafit, Ta | A sztöchiometrikus filmeket legjobban O2-vel történő reaktív bepárlással lehet elérni. |
| fenséges | Az aljzat melegítése javítja a film minőségét | ||||||||
| CeF3 | 1418 | 6.16 | - | - | - | ~ 900 | eBeam (jó) | Hé, Ta, Ny | Tömeges alapanyagból előállítható. Aljzatfűtés innen |
| 150-300°C javítja a tapadást és a film minőségét | |||||||||
| Ce2O3 | 1692 | 6.87 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | grafit, Ta | A kevert CeO2-Ce2O3 filmek UHV-ben 2°C-on történő melegítéssel Ce3O725-má redukálhatók. |
| Cs | 28 | 1.87 | - | -16 | 22 | 30 | eBeam (gyenge) | kvarc | - |
| CsBr | 636 | 4.44 | - | - | - | ~ 400 | - | - | - |
| CsCl | 646 | 3.97 | - | - | - | ~ 500 | - | - | - |
| csf | 684 | 3.59 | - | - | - | ~ 500 | - | - | - |
| CsOH | 272 | 3.67 | - | - | - | ~ 550 | - | - | - |
| CwI | 621 | 4.51 | - | - | - | ~ 500 | eBeam (gyenge) | kvarc, Pt | Sztöchiometrikus CsI filmek előállítása lehetséges tömbös alapanyagból, de a jó filmbevonat kihívást jelenthet. |
| Na5Al3F14 | - | 2.9 | - | - | - | ~ 800 | eBeam (gyenge) | Al2O3 | A sztöchiometrikus kiolit filmeket nehéz előállítani eBeam párologtatással |
| Cr | 1890 | 7.2 | 0.305 | 837 | 977 | 1157 | eBeam (jó) | W, grafit | A fóliák nagyon jól tapadnak. Magas lerakódási sebesség lehetséges, de az egyenletesség problémát jelenthet. |
| fenséges | |||||||||
| CrB | 2760 | 6.17 | - | - | - | - | - | - | - |
| CrBr2 | 842 | 4.36 | - | - | - | 550 | - | - | - |
| Cr3C2 | 1890 | 6.68 | - | - | - | ~ 2000 | eBeam (tisztességes) | W | Cr és C együttes elpárologtatásával előállítható |
| CrCl2 | 824 | 2.75 | - | - | - | 550 | - | - | - |
| Cr2O3 | 2435 | 5.21 | - | - | - | ~ 2000 | eBeam (jó) | W | A sztöchiometria fenntartható reaktív bepárlással O2-ben |
| Cr3Si | 1710 | 6.51 | - | - | - | - | - | - | - |
| Cr-SiO | A kompozíció hatása alatt | eBeam (jó) | W | Az eBeam párologtatással készült Cr-SiO425 kermet filmek minősége XNUMX°C-on történő hőkezeléssel javul. | |||||
| Co | 1495 | 8.9 | - | 850 | 990 | 1200 | eBeam (Xlnt) | Al₂O₃, BeO, | A pelletek és a por egyaránt jól használható alapanyagként |
| grafit | |||||||||
| CoBr2 | 678 | 4.91 | - | - | - | 400 | - | - | - |
| fenséges | |||||||||
| CoCl2 | 740 | 3.36 | - | - | - | 472 | - | - | - |
| fenséges | |||||||||
| Turbékol | 1935 | 5.68 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | - | A CoO előállítható reaktív párologtatással O2-vel, de a porlasztásos leválasztás az előnyben részesített gyártási módszer. |
| Cu | 1083 | 8.92 | 0.437 | 727 | 857 | 1017 | eBeam (Xlnt) | Al₂O₃, MoTa, | A legtöbb felületen gyenge tapadás. Használjon vékony króm vagy titán ragasztóréteget. |
| grafit | |||||||||
| CuCl | 422 | 3.53 | - | - | - | ~ 600 | eBeam (gyenge) | kvarc | Sztöchiometrikus CuCl filmeket állítottak elő pelletekből és por alakú alapanyagból |
| Cu2O | 1235 | 6 | - | - | - | ~ 600 | eBeam (jó) | grafit, Al₂O₃, Ta | Vékonyrétegeket állítottunk elő sztöchiometrikus Cu2O porból |
| fenséges | |||||||||
| CuS | 1113 | 6.75 | - | - | - | ~ 500 | - | - | - |
| fenséges | |||||||||
| Na3AlF6 | 1000 | 2.9 | - | 1020 | 1260 | 1480 | eBeam (jó) | W, grafit | Jó minőségű filmek állíthatók elő pelletek vagy por állagú alapanyag felhasználásával. |
| Dy | 1409 | 8.54 | - | 625 | 750 | 900 | eBeam (jó) | W | Kiváló minőségű vékonyrétegek gyárthatók ömlesztett alapanyagokból |
| DyF3 | 1360 | 6 | - | - | - | ~ 800 | eBeam (jó) | Ny, Ta | A tömeges alapanyag pellet és por formájában kapható |
| fenséges | |||||||||
| Dy2O3 | 2340 | 7.81 | - | - | - | ~ 1400 | eBeam (tisztességes) | W | Vékony filmeket gyártottak ömlesztett alapanyagokból |
| Er | 1497 | 9.06 | 0.74 | 650 | 775 | 930 | eBeam (jó) | Ny, Ta | - |
| fenséges | |||||||||
| ErF2 | 1380 | 6.5 | - | - | - | ~ 950 | - | - | - |
| Er2O3 | 2400 | 8.64 | - | - | - | ~ 1600 | eBeam (tisztességes) | W | A tömbi anyag reaktív párolgása O2 atmoszférában fenntartja a sztöchiometriát. |
| Eu | 822 | 5.26 | - | 280 | 360 | 480 | eBeam (tisztességes) | Al2O3 | - |
| fenséges | |||||||||
| EuF2 | 1380 | 6.5 | - | - | - | ~ 950 | - | - | - |
| Eu2O3 | 2400 | 8.64 | - | - | - | ~ 1600 | eBeam (jó) | W | Az Eu₂O₃ por vagy granulátum reaktív párolgása O₂ atmoszférában fenntartja a sztöchiometriát. |
| EuS | - | 5.75 | - | - | - | - | eBeam (jó) | W | Az EuS por UHV-ban (10-8 torr alapú vákuumban) történő e-sugaras párologtatásáról a szakirodalomban beszámoltak. |
| Gd | 1312 | 7.89 | - | 760 | 900 | 1175 | eBeam (Xlnt) | Al203, Ny | A Gd eBeam párologtatását közvetlenül a vízhűtéses Cu kandallóból jelentették |
| Gd2O3 | 2310 | 7.41 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | Al203, Ny | A Gd₂O₃ pelletek reaktív párolgása O₂-ben fenntartja a vékonyréteg sztöchiometriáját. A törésmutató a szubsztrát melegítésével növekszik. |
| Ga | 30 | 5.9 | - | 619 | 742 | 907 | eBeam (jó) | grafit, Al₂O₃, BeO, kvarc | Tűzálló fémekkel készült ötvözetek |
| GaSb | 710 | 5.6 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | Ny, Ta | Az eBeam párologtatása ömlesztett forrásanyagból lehetséges |
| GaAs | 1238 | 5.3 | - | - | - | - | eBeam (jó) | grafit, W | Az ionos párologtatásnak köszönhetően javul a film minősége |
| GaN | - | 6.1 | - | - | - | ~ 200 | eBeam (tisztességes) | grafit, Al₂O₃, BeO, kvarc | Ga reaktív párolgása 10-3 N-ban |
| fenséges | 2 | ||||||||
| Ga₂O₃ | 1900 | 5.88 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | grafit, W | A Ga2O3 reaktív párolgása O2 parciális nyomáson fenntartja a sztöchiometriát |
| Rés | 1540 | 4.1 | - | - | 770 | 920 | eBeam (tisztességes) | kvarc, W | Ga és P együttes párolgásáról számoltak be |
| Ge | 937 | 5.35 | 0.516 | 812 | 957 | 1167 | eBeam (Xlnt) | Al₂O₃, kvarc, grafit, Ni | Egyenletes filmek elérése lassú teljesítményrámpával és söprött sugárral |
| Ge3N2 | 450 | 5.2 | - | - | - | ~ 650 | eBeam (gyenge) | - | A porlasztás az előnyben részesített gyártási módszer |
| fenséges | |||||||||
| GeO2 | 1086 | 6.24 | - | - | - | ~ 625 | eBeam (jó) | grafit, Al₂O₃, kvarc | A GeO2 sztöchiometriája fenntartható a tömbi forrásanyag reaktív bepárlásával O2-ben. |
| GeTe | 725 | 6.2 | - | - | - | 381 | - | - | - |
| Au | 1062 | 19.32 | 0.381 | 807 | 947 | 1132 | eBeam (Xlnt) | W, Al₂O₃, | A fémköpködés problémát jelenthet. Ezt mérsékelje lassú teljesítményrámpával, seprűnyalábbal és alacsony széntartalmú alapanyaggal. |
| grafit, BN | |||||||||
| Hf | 2230 | 13.09 | - | 2160 | 2250 | 3090 | eBeam (jó) | W | - |
| HfB2 | 3250 | 10.5 | - | - | - | - | - | - | HfB2 filmek CVD-vel történő előállításáról már beszámoltak |
| HfC | 4160 | 12.2 | - | - | - | ~ 2600 | - | - | - |
| fenséges | |||||||||
| HfN | 2852 | 13.8 | - | - | - | - | - | - | HfN-filmeket állítottak elő Hf reaktív RF porlasztásával N2 + Ar közegben. |
| HfO2 | 2812 | 9.68 | - | - | - | ~ 2500 | eBeam (tisztességes) | grafit, W | Előállítható reaktív párologtatással O2-ben vagy ömlesztett alapanyag felhasználásával. Az 500°C-on történő utólagos hőkezelés javítja a film minőségét. |
| HfSi2 | 1750 | 7.2 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | W | HfSi2 vékonyrétegeket állítottak elő Si-hordozókon lévő Hf eBeam elpárologtatásával, majd egy órán át 750°C-on történő hőkezeléssel. |
| Ho | 1470 | 8.8 | - | 650 | 770 | 950 | eBeam (jó) | W | - |
| fenséges | |||||||||
| HoF3 | 1143 | 7.64 | - | - | - | ~ 800 | - | kvarc | - |
| Ho2O3 | 2370 | 8.41 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | W | Ho₂O₃ vékonyrétegeket állítottak elő porított alapanyag eBeam párologtatásával vagy Ho reaktív párologtatásával O₂-ban. |
| In | 157 | 7.3 | 0.841 | 487 | 597 | 742 | eBeam (Xlnt) | Mo, grafit, Al₂O₃ | A nedves Cu és W. Mo bélés előnyösebb |
| InSb | 535 | 5.8 | - | 500 | - | ~ 400 | eBeam (tisztességes) | grafit, W | Porított alapanyagból készült vékonyrétegek |
| InAs | 943 | 5.7 | - | 780 | 870 | 970 | - | - | A porlasztásos leválasztás az előnyben részesített vékonyréteg-gyártási technika. |
| In2O3 | 1565 | 7.18 | - | - | - | ~ 1200 | eBeam (jó) | Al2O3 | Vékony filmeket állítottak elő porított In₂O₃ reaktív bepárlásával O₂ parciális nyomáson. |
| fenséges | |||||||||
| InP | 1058 | 4.8 | - | - | 630 | 730 | eBeam (tisztességes) | grafit, W | A lerakódások foszforban gazdagok |
| In2Se3 | 890 | 5.7 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | grafit, W | Porított InSe-ből eBeam párologtatással vékony filmeket állítottak elő. Az utólagos hőkezelés javítja a kristályosságot. |
| In2S3 | 1050 | 4,9 | - | - | - | 850 | - | - | - |
| fenséges | |||||||||
| In2S | 653 | 5.87 | - | - | - | 650 | - | - | - |
| In2Te3 | 667 | 5.8 | - | - | - | - | - | - | Az In és Te források együttes elpárologtatásából származó vékonyrétegekről számoltak be. |
| In₂O₃–SnO₂ | 1800 | 6.43-7.14 | - | - | - | - | eBeam (jó) | grafit | 90% In₂O₃-2% SnO₂ porból vékonyrétegeket állítottak elő O₂ parciális nyomáson. A 3°C-os szubsztráthőmérséklet javítja a kapott filmek elektromos vezetőképességét. |
| Ir | 2459 | 22.65 | - | 1850 | 2080 | 2380 | eBeam (tisztességes) | W | Jobb egyenletesség és tapadás érhető el porlasztásos leválasztással |
| Fe | 1535 | 7.86 | 0.349 | 858 | 998 | 1180 | eBeam (Xlnt) | Al₂O₃, BeO, | Az olvadt Fe megtámadja és hozzátapad a grafithoz, ami jelentősen korlátozza a tégelybélés élettartamát. |
| grafit | |||||||||
| FeBr2 | 689 | 4.64 | - | - | - | 561 | - | - | - |
| FeCl2 | 670 | 2.98 | - | - | - | 300 | - | - | - |
| fenséges | |||||||||
| FeI2 | 592 | 5.31 | - | - | - | 400 | - | - | - |
| Haderő műszaki főtiszt | 1425 | 5.7 | - | - | - | - | eBeam (gyenge) | - | Előnyben részesítjük a porlasztásos lerakódást. |
| Fe2O3 | 1565 | 5.24 | - | - | - | - | eBeam (jó) | Al₂O₃, BeO, | 2 Pa O3 parciális nyomáson Fe reaktív párologtatásával előállított Fe0.1O2 vékonyrétegekről számoltak be. |
| grafit | |||||||||
| FeS | 1195 | 4.84 | - | - | - | - | - | - | - |
| La | 920 | 6.17 | - | 990 | 1212 | 1388 | eBeam (Xlnt) | Ny, Ta | - |
| LaB6 | 2210 | 2.61 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | - | A LaB6 filmeket és bevonatokat gyakrabban porlasztásos leválasztással állítják elő. |
| LaBr3 | 783 | 5.06 | - | - | - | - | - | - | - |
| LaF3 | 1490 | 6 | - | - | - | 900 | eBeam (jó) | Ta, Mo | Az ion-támogatású eBeam párolgás javítja a film sűrűségét és tapadását |
| fenséges | |||||||||
| La2O3 | 2250 | 5.84 | - | - | - | 1400 | eBeam (jó) | W, grafit | C szennyeződés fordulhat elő grafit olvasztótégely bélések esetén |
| Pb | 328 | 11.34 | 1.13 | 342 | 427 | 497 | eBeam (Xlnt) | Al₂O₃, kvarc, grafit, W | - |
| ÓlomBr2 | 373 | 6.66 | - | - | - | ~ 300 | - | - | - |
| PbCl2 | 501 | 5.85 | - | - | - | ~ 325 | - | - | - |
| PbF2 | 822 | 8.24 | - | - | - | ~ 400 | - | - | - |
| fenséges | |||||||||
| PbI2 | 502 | 6.16 | - | - | - | ~ 500 | - | - | - |
| PbO | 890 | 9.53 | - | - | - | ~ 550 | eBeam (tisztességes) | Al₂O₃, kvarc, W | Sztöchiometrikus PbO vékonyrétegek előállíthatók porított alapanyagból |
| PbSnO3 | 1115 | 8.1 | - | 670 | 780 | 905 | eBeam (gyenge) | Al₂O₃, W | Aránytalan |
| PbSe | 1065 | 8.1 | - | - | - | ~ 500 | eBeam (tisztességes) | Al₂O₃, grafit | - |
| fenséges | |||||||||
| PbS | 1114 | 7.5 | - | - | - | 550 | eBeam (tisztességes) | Al₂O₃, kvarc | A 150°C-on történő utólagos leválasztási hőkezelés javítja a filmek kristályosságát |
| fenséges | |||||||||
| PbTe | 917 | 8.16 | - | 780 | 910 | 1050 | eBeam (gyenge) | Al₂O₃, grafit | A tömbös PbTe-ből készült filmek általában Te-gazdagok. A porlasztásos leválasztás előnyös. |
| PbTiO3 | - | 7.52 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | Ny, Ta | Beszámoltak PbTiO3 vékonyrétegekről, amelyekben PbO por és TiO2 pelletek reaktív együtt-párolognak O2 parciális nyomáson. |
| Li | 179 | 0.53 | - | 227 | 307 | 407 | eBeam (jó) | Ta, Al₂O₃, BeO | A lítium-filmek könnyen oxidálódnak levegőn |
| LiBr | 547 | 3.46 | - | - | - | ~ 500 | - | - | - |
| LiCl | 613 | 2.07 | - | - | - | 400 | - | - | - |
| LiF | 870 | 2.6 | - | 875 | 1020 | 1180 | eBeam (jó) | W, Mo, Ta, Al₂O₃ | Optikai filmeknél fontos a sebességszabályozás. A lerakódás előtti gázkibocsátás raszteres nyalábbal |
| LiI | 446 | 4.06 | - | - | - | 400 | - | - | - |
| Li2O | 1427 | 2.01 | - | - | - | 850 | - | - | - |
| Lu | 1652 | 9.84 | - | - | - | 1300 | eBeam (Xlnt) | Al2O3 | - |
| Lu2O3 | 2489 | 9.81 | - | - | - | 1400 | eBeam (tisztességes) | Al2O3 | A porított alapanyag e-sugaras párologtatása sztöchiometrikus filmeket eredményez a leválasztás utáni gyors hőkezeléssel O2-ben 400-600°C-on. |
| Mg | 651 | 1.74 | - | 185 | 247 | 327 | eBeam (jó) | W, grafit, Al₂O₃ | A por gyúlékony. Nagy lerakódási arány lehetséges. |
| fenséges | |||||||||
| MgAl2O4 | 2135 | 3.6 | - | - | - | - | - | - | Az MgAl2O4 porból történő eBeam lerakódásról beszámoltak |
| MgBr2 | 700 | 3.72 | - | - | - | ~ 450 | - | - | - |
| MgCl2 | 708 | 2.32 | - | - | - | 400 | - | - | - |
| MgF2 | 1266 | 2.9-3.2 | - | - | - | 1000 | eBeam (Xlnt) | Al₂O₃, grafit, Mo | A legjobb optikai tulajdonságokat a 300°C-on történő szubsztrátmelegítés és a ≤ 5 Å/sec lerakódási sebesség biztosítja. |
| MgI2 | 700 | 4.24 | - | - | - | 200 | - | - | - |
| MgO | 2800 | 3.58 | - | - | - | 1300 | eBeam (jó) | Al₂O₃, grafit | A sztöchiometrikus filmek 10⁻³ torr O3 parciális nyomáson reaktív párolgásból származnak. |
| Mn | 1244 | 7.2 | - | 507 | 572 | 647 | eBeam (jó) | W, Al₂O₃, BeO | - |
| fenséges | |||||||||
| MnBr2 | 695 | 4.38 | - | - | - | 500 | - | - | - |
| MnCl2 | 650 | 2.98 | - | - | - | 450 | - | - | - |
| MnO2 | 535 | 5.03 | - | - | - | - | eBeam (gyenge) | W, Mo, Al₂O₃ | Sztöchiometrikus vékonyrétegeket állítottak elő Mn por reaktív bepárlásával 10⁻⁸ torr O3-ben. |
| 2 | |||||||||
| MnS | 1615 | 3.99 | - | - | - | 1300 | - | - | - |
| Hg | -39 | 13.55 | - | -68 | -42 | -6 | - | - | Mérgező, párologtatási folyamatokhoz nem ajánlott |
| HgS | 8.1 | - | - | - | 250 | eBeam (gyenge) | Al2O3 | Mérgező és bomlik, párologtatási folyamatokhoz nem ajánlott | |
| fenséges | fenséges | ||||||||
| Mo | 2610 | 10.22 | - | 1592 | 1822 | 2117 | eBeam (Xlnt) | grafit, W | A fóliák simák, kemények és tapadósak |
| MoB2 | 2100 | 7.12 | - | - | - | - | - | - | - |
| Mo2C | 2687 | 9.18 | - | - | - | - | - | - | Porlasztásos leválasztással és CVD-vel előállított vékonyrétegekről számoltak be. |
| MoS2 | 1185 | 4.8 | - | - | - | ~ 50 | - | - | A MoS2 CVD-vel történő előállításáról már beszámoltak. |
| MoSi2 | 2050 | 6.3 | - | - | - | ~ 50 | - | - | A MoSi2 filmeket porlasztásos leválasztással állították elő. |
| MoO3 | 795 | 4.7 | - | - | - | ~ 900 | eBeam (tisztességes) | Al₂O₃, grafit, BN, Mo | Az aljzat melegítése javítja a film kristályosságát |
| Nd | 1024 | 7 | - | 731 | 871 | 1062 | eBeam (Xlnt) | Al₂O₃, Ta | - |
| NdF3 | 1410 | 6.5 | - | - | - | ~ 900 | eBeam (jó) | W, Mo, Al₂O₃ | A 360°C-os szubsztrátmelegítés javítja a film minőségét |
| Nd2O3 | 2272 | 7.24 | - | - | - | ~ 1400 | eBeam (jó) | Ny, Ta | A filmek oxigénhiányosak lehetnek. A törésmutató a hordozó hőmérsékletének növekedésével növekszik. |
| Ni | 1453 | 8.91 | 0.331 | 927 | 1072 | 1262 | eBeam (Xlnt) | Al₂O₃, BeO, W, | A Ni és a grafit közötti eltérő hőtágulás a grafit olvasztótégely bélésének repedését okozhatja hűtés közben. |
| grafit | |||||||||
| NiBr2 | 963 | 4.64 | - | - | - | 362 | - | - | - |
| fenséges | |||||||||
| NiCl2 | 1001 | 3.55 | - | - | - | 444 | - | - | - |
| fenséges | |||||||||
| NiO | 1990 | 7.45 | - | - | - | ~ 1470 | eBeam (jó) | Al₂O₃, W | A 125°C-os alapfelület hőmérséklet javítja a film tapadását és minőségét. A NiO por alapanyagként való használata csökkenti a fröccsenést. |
| Nb (Cb) | 2468 | 8.55 | - | 1728 | 1977 | 2287 | eBeam (Xlnt) | grafit | Az ionrásegítéses eBeam párolgás a Nb film feszültségét húzófeszültségről nyomófeszültségre módosítja 400 °C-os szubsztráthőmérsékleten |
| NbB2 | 3050 | 6.97 | - | - | - | - | - | - | - |
| NbC | 3800 | 7.82 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | grafit | A Ti felületén lévő NbC vékonyrétegekről számoltak be |
| NbN | 2573 | 8.4 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | grafit, W | NbN-filmeket állítottak elő reaktív párologtatással és reaktív porlasztással N2-ben. Ion-támogatású párologtatással előállított NbN-filmekről is beszámoltak. |
| NbO | - | 6.27 | - | - | - | 1100 | - | - | - |
| Nb2O5 | 1530 | 4.47 | - | - | - | - | - | - | Sztöchiometrikus céltárgy alkalmazásával RF magnetron porlasztással előállított Nb2O5 filmekről számoltak be. |
| NbTe | - | 7.6 | - | - | - | - | - | - | - |
| Nb3Sn | - | - | - | - | - | - | eBeam (Xlnt) | grafit, Ta | Beszámoltak már Nb és Sn együttes elpárologtatásával előállított filmekről. Az aljzat melegítése javítja a film homogenitását. |
| Nb2O3 | 1780 | 7.5 | - | - | - | - | - | - | - |
| Os | 1700 | 22.5 | - | 2170 | 2430 | 2760 | - | - | - |
| Pd | 1550 | 12.4 | - | - | - | 1192 | eBeam (Xlnt) | W, Al₂O₃, | Fémköpés veszélye áll fenn. Csökkentse lassú teljesítményrámpával és hosszabb beáztatással a lerakódás előtt. |
| grafit | |||||||||
| PdO | 870 | 8.31 | - | - | - | 575 | eBeam (gyenge) | Al2O3 | Bomlik |
| P | 41.4 | 1.82 | - | 327 | 361 | 402 | eBeam (gyenge) | Al2O3 | Hevesen reagál a levegőben |
| Pt | 1769 | 21.45 | 0.245 | 1292 | 1492 | 1747 | eBeam (Xlnt) | W, Al₂O₃, | Az egyenletes film érdekében alacsony lerakódási sebesség (< 5 Å/sec) előnyös. Nagy teljesítménynél grafitbetétek esetén szénszennyeződés lehetséges. |
| grafit | |||||||||
| Pu | 635 | 19 | - | - | - | - | - | - | Mérgező. Radioaktív |
| Po | 254 | 9.4 | - | 117 | 170 | 244 | - | - | Mérgező. Radioaktív |
| K | 64 | 0.86 | - | 23 | 60 | 125 | - | kvarc | Nagyon reaktív levegőben |
| KBr | 730 | 2.75 | - | - | - | ~ 450 | - | kvarc | Használjon enyhe előmelegítést a gázok kieresztéséhez |
| KCl | 776 | 1.98 | - | - | - | ~ 510 | eBeam (tisztességes) | Ta, kvarc, Mo | Használjon enyhe előmelegítést a gázok kieresztéséhez |
| KF | 880 | 2.48 | - | - | - | ~ 500 | eBeam (gyenge) | kvarc | Használjon enyhe előmelegítést a gázok kieresztéséhez |
| KOH | 360 | 2.04 | - | - | - | ~ 400 | - | - | - |
| KI | 72 | 3.13 | - | - | - | ~ 500 | - | - | - |
| Pr | 931 | 6.78 | - | 800 | 950 | 1150 | eBeam (jó) | W, grafit, Ta | A Pr fóliák oxidálódnak a levegőben |
| Pr2O3 | 2125 | 6.88 | - | - | - | 1400 | eBeam (jó) | W, grafit, ThO2 | Oxigénveszteség. Jelentések az MBE-vel növesztett Pr2O3 vékonyrétegekről |
| 10 hónap 8 nap | 10 hónap 6 nap | 10 hónap 4 nap | |||||||
| Ra | 700 | 5 | - | 246 | 320 | 416 | - | - | - |
| Re | 3180 | 20.53 | - | 1928 | 2207 | 2571 | eBeam (jó) | W, grafit | A 600°C-ra történő szubsztrátmelegítés javítja a film tulajdonságait |
| ReO3 | 297 | 8.2 | - | - | - | ~ 100 | eBeam (jó) | W, grafit | Re reaktív párologtatásával előállított filmek 10⁻³ torr O3-ben |
| 2 | |||||||||
| Rh | 1966 | 12.41 | - | 1277 | 1472 | 1707 | eBeam (jó) | W, grafit | - |
| Rb | 38.5 | 1.47 | - | -3 | 37 | 111 | - | kvarc | - |
| RbCl | 715 | 2.76 | - | - | - | ~ 500 | - | kvarc | - |
| RbI | 642 | 3.55 | - | - | - | ~ 400 | - | kvarc | - |
| Ru | 2700 | 12.45 | - | 1780 | 1990 | 2260 | eBeam (gyenge) | W | Az anyag eBeam segítségével köpköd. A porlasztásos leválasztás előnyös. |
| Sm | 1072 | 7.54 | - | 373 | 460 | 573 | eBeam (jó) | Al2O3 | - |
| Sm2O3 | 2350 | 7.43 | - | - | - | - | eBeam (jó) | W | Oxigént veszít. Előnyös a porlasztásos lerakódás. |
| Sm2S3 | 1900 | 5.72 | - | - | - | - | - | - | - |
| Sc | 1539 | 2.99 | - | 714 | 837 | 1002 | eBeam (Xlnt) | W, Mo, Al₂O₃ | Ta ötvözetek |
| Sc2O3 | 2300 | 3.86 | - | - | - | ~ 400 | eBeam (tisztességes) | W | Oxigént veszít. Beszámoltak O2-ben reaktív porlasztással előállított filmekről. |
| Se | 217 | 4.79 | - | 89 | 125 | 170 | eBeam (jó) | W, Mo, grafit, Al₂O₃ | Mérgező. Beszennyezheti a vákuumrendszereket. |
| Si | 1410 | 2.42 | 0.712 | 992 | 1147 | 1337 | eBeam (tisztességes) | Ta, grafit, BeO | Magas lerakódási sebesség lehetséges. Az olvadt szilícium megtámadhatja a grafitbetéteket, korlátozva a tégelybetét élettartamát. |
| SiB6 | - | 2.47 | - | - | - | - | - | - | - |
| Sic | 2700 | 3.22 | - | - | - | 1000 | eBeam (tisztességes) | W | A porlasztásos leválasztás az előnyben részesített vékonyréteg-gyártási technika. |
| SiO2 | 1610-1710 | 2.2-2.7 | 1 | - | - | ~ 1025 | eBeam (Xlnt) | Al₂O₃, Ta, | A nyilított gerenda használata kritikus fontosságú a furatok elkerülése érdekében, mivel az alapanyagnak sekély olvadékmedencéje lesz. |
| A kompozíció befolyásolja | grafit, W | ||||||||
| Igen | 1702 | 2.1 | - | - | - | 850 | eBeam (tisztességes) | W, Ta, grafit | Jelentések szerint ömlesztett SiO₂ anyagból készült vékonyrétegekről van szó |
| fenséges | |||||||||
| Si3N4 | - | 3.44 | - | - | - | ~ 800 | - | - | Beszámoltak reaktív porlasztásos leválasztással előállított Si3N3 vékonyrétegekről. |
| fenséges | |||||||||
| SiSe | - | - | - | - | - | 550 | - | - | - |
| SiS | - | 1.85 | - | - | - | 450 | - | - | - |
| fenséges | |||||||||
| SiTe2 | - | 4.39 | - | - | - | 550 | - | - | - |
| Ag | 961 | 10.49 | 0.529 | 847 | 958 | 1105 | eBeam (Xlnt) | W, Al₂O₃, Ta, | A nagyobb leválasztási sebesség érdekében olvadás közben söprött sugár, leválasztás közben pedig fókuszált sugár ajánlott. |
| Mo, grafit | |||||||||
| AgBr | 432 | 6.47 | - | - | - | ~ 380 | - | - | - |
| AgCl | 455 | 5.56 | - | - | - | ~ 520 | - | - | - |
| AgI | 558 | 5.67 | - | - | - | ~ 500 | - | - | Termikus párologtatással előállított vékony AgI-rétegekről számoltak be |
| Na | 97 | 0.97 | - | 74 | 124 | 192 | - | kvarc | Gyengéd előmelegítéssel gázt szabadítson fel. A fém hevesen reagál a levegőben. |
| NaBr | 755 | 3.2 | - | - | - | ~ 400 | - | - | - |
| NaCl | 801 | 2.16 | - | - | - | 530 | - | - | Knudsen-cellákban kvarctégelyekkel termikus bepárlással előállított vékony NaCl-rétegekről számoltak be |
| NaCN | 563 | - | - | - | - | ~ 550 | - | - | - |
| NaF | 988 | 2.79 | - | - | - | ~ 700 | eBeam (jó) | W, Ta, grafit, BeO | Gyengéd előmelegítéssel gázt szabadítson fel. Jelentések szerint por alakú alapanyagból és 230°C-os szubsztrátmelegítéssel előállított NaF vékonyrétegek is előfordulhatnak. |
| NaOH | 318 | 2.13 | - | - | - | ~ 470 | - | - | - |
| Sr | 769 | 2.6 | - | 239 | 309 | 403 | eBeam (gyenge) | grafit, kvarc | Nedvesíti a tűzálló fémeket. Levegőn erősen reagálhat. |
| SrF2 | 1190 | 4.24 | - | - | - | ~ 1000 | eBeam (gyenge) | Al₂O₃, W, kvarc | eBeam és termikus párolgás által előállított SrF2 vékonyrétegekről számoltak be |
| SrO | 2460 | 4.7 | - | - | - | 1500 | eBeam (gyenge) | Al2O3 | Oxigént veszít. Reagál W-vel és Mo-val. |
| fenséges | |||||||||
| SrS | > 2000 | 3.7 | - | - | - | - | - | - | Bomlik |
| S8 | 115 | 2 | - | 13 | 19 | 57 | eBeam (gyenge) | kvarc | Szennyezheti a vákuumrendszereket |
| Ta | 2996 | 16.6 | - | 1960 | 2240 | 2590 | eBeam (Xlnt) | grafit | A Ta magas olvadáspontja korlátozza a tégelybetétek kiválasztását. Nagy vákuum szükséges a filmekbe beépülő oxigén mennyiségének csökkentéséhez. |
| TaB2 | 3000 | 12.38 | - | - | - | - | - | - | - |
| TaC | 3880 | 14.65 | - | - | - | ~ 2500 | - | - | - |
| Cser | 3360 | 16.3 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | grafit | A TaN vékony filmjei reaktív bepárlással állíthatók elő 10⁻³ torr N₂ nyomáson. |
| 2 | |||||||||
| Ta2O5 | 1800 | 8.74 | - | 1550 | 1780 | 1920 | eBeam (jó) | grafit, Ta | Nyílt gerenda a lyukak fúrásának elkerülése érdekében. Egy vékony titánréteg javítja a tapadást az aljzathoz |
| TaS2 | 1300 | - | - | - | - | - | - | - | - |
| Tc | 2200 | 11.5 | - | 1570 | 1800 | 2090 | - | - | - |
| Te | 452 | 6.25 | - | 157 | 207 | 277 | eBeam (gyenge) | Al₂O₃, kvarc, grafit | Nedvesíti a tűzálló fémeket |
| Tb | 1357 | 8.27 | - | 800 | 950 | 1150 | eBeam (Xlnt) | Al₂O₃, grafit, Ta | Porlasztással és termikus párologtatással előállított vékonyrétegekről is beszámoltak |
| TbF3 | 1176 | - | - | - | - | ~ 800 | - | - | A porlasztásos lerakódás előnyös |
| Tb2O3 | 2387 | 7.87 | - | - | - | 1300 | - | - | Impulzuslézeres leválasztással előállított vékonyrétegekről számoltak be |
| Tb4O7 | 2340 | 7.3 | - | - | - | - | - | - | A Tb2O3 filmek 800°C-on, levegőn történő hőkezeléséről számoltak be, amely stabil Tb4O7 képződést eredményez. |
| Tl | 302 | 11.85 | - | 280 | 360 | 470 | eBeam (gyenge) | Al₂O₃, kvarc, grafit | A tallium és vegyületei nagyon mérgezőek. Könnyen nedvesíthető. |
| Tábla | 480 | 7.56 | - | - | - | ~ 250 | - | - | A TlBr vékonyrétegek termikus párolgását már kimutatták |
| fenséges | |||||||||
| TlCl | 430 | 7 | - | - | - | ~ 150 | - | - | - |
| fenséges | |||||||||
| TlI | 440 | 7.09 | - | - | - | ~ 250 | eBeam (gyenge) | Al₂O₃, kvarc | Alacsony feszültségű vékonyrétegek állíthatók elő eBeam párologtatással 100°C-os szubsztráthőmérséklet mellett. |
| Tl2O3 | 717 | 9.65 | - | - | - | 350 | - | - | 850°C-on diszproporcionálódik Tl2O-vá |
| Th | 1875 | 11.7 | - | 1430 | 1660 | 1925 | eBeam (Xlnt) | Ny, Ta, Mo | Mérgező és enyhén radioaktív |
| ThBr4 | - | 5.67 | - | - | - | - | - | - | - |
| fenséges | |||||||||
| ThC2 | 2273 | 8.96 | - | - | - | ~ 2300 | - | - | - |
| ThO2 | 3050 | 10.03 | - | - | - | ~ 2100 | eBeam (jó) | W | Porított alapanyagból előállított stabil sztöchiometrikus ThO2 filmekről számoltak be |
| ThF4 | 1110 | 6.3 | - | - | - | ~ 750 | eBeam (tisztességes) | Ta, Mo, grafit | Használjon enyhe előmelegítést a gázok kieresztéséhez. A 175°C-os alapfelület hőmérséklet javítja a film tapadását és minőségét. |
| ThOF2 | 900 | 9.1 | - | - | - | - | eBeam (gyenge) | Ny, Ta, Mo, | Nem párolog el sztöchiometrikusan, a kapott filmek elsősorban ThF4-ből állnak |
| grafit | |||||||||
| ThS2 | - | 6.8 | - | - | - | - | - | - | - |
| Tm | 1545 | 9.32 | - | 461 | 554 | 680 | eBeam (jó) | Al2O3 | - |
| fenséges | |||||||||
| Tm2O3 | - | 8.9 | - | - | - | 1500 | - | - | eBeam párologtatással és MBE-vel előállított Tm2O3 vékonyrétegekről számoltak be. |
| Sn | 232 | 7.75 | 0.724 | 682 | 807 | 997 | eBeam (Xlnt) | Al₂O₃, Ta, | Magas lerakódási sebesség lehetséges, de az egyenletesség romolhat. Lassú teljesítménynövelés az olvadékfürdő kavitációjának csökkentése érdekében. |
| grafit, W | |||||||||
| SnO2 | 1127 | 6.95 | - | - | - | ~ 1000 | eBeam (Xlnt) | Al₂O₃, kvarc | A 200°C feletti szubsztráthőmérséklet javítja a film kristályosságát |
| fenséges | |||||||||
| SnSe | 861 | 6.18 | - | - | - | ~ 400 | - | - | Porított alapanyag termikus párologtatásával előállított SnSe sztöchiometrikus vékonyrétegekről számoltak be |
| SnS | 882 | 5.08 | - | - | - | ~ 450 | eBeam (gyenge) | kvarc, W | SnS por eBeam párologtatásával és Sn és S reaktív együttes párologtatásával előállított vékonyrétegekről számoltak be. |
| SnTe | 780 | 6.44 | - | - | - | ~ 450 | eBeam (gyenge) | kvarc | 300°C-os szubsztráthőmérsékleten eBeam párologtatással előállított vékony SnTe filmekről számoltak be. |
| Ti | 1675 | 4.5 | 0.628 | 1067 | 1235 | 1453 | eBeam (Xlnt) | W, grafit, TiC | A fóliák szinte bármilyen felülethez nagyon jól tapadnak |
| TiB2 | 2980 | 4.5 | - | - | - | - | - | - | A porlasztásos leválasztás az előnyben részesített vékonyréteg-gyártási technika. |
| TiC | 3140 | 4.93 | - | - | - | ~ 2300 | eBeam (tisztességes) | W, grafit | TiC vékonyrétegek ionnyalábos és ionnyalábos segítséggel történő eBeam párolgását jelentették |
| TiO2 | 1640 | 4.29 | - | - | - | ~ 1300 | eBeam (jó) | W, grafit, Ta | Sztöchiometrikus TiO2 vékonyrétegeket állítottak elő por állagú alapanyagból és 600°C szubsztrát hőmérsékleten. |
| Nagybácsi | 1750 | - | - | - | - | ~ 1500 | eBeam (jó) | W, grafit, Ta | Gázmentesítés enyhe előmelegítéssel a lerakódás előtt |
| Ón | 2930 | 5.43 | - | - | - | - | eBeam (jó) | W, grafit, TiC | Vékonyrétegeket állítottak elő Ti reaktív elpárologtatásával N2 parciális nyomáson. |
| Ti2O3 | 2130 | 4.6 | - | - | - | - | eBeam (jó) | W, Ta, grafit | Sztöchiometrikus filmeket állítottak elő TiO₂ por reaktív bepárlásával 2.5 x 10⁻⁸ torr O₂-ben. |
| 2 alkalmazott | |||||||||
| W | 3410 | 19.3 | 0.163 | 2117 | 2407 | 2757 | eBeam (jó) | W | Hosszú, lassú előmelegítés szükséges a forrásanyag kondicionálásához. Raszterezze az elektronnyalábot a lyukak fúrásának elkerülése érdekében. |
| WB2 | 2900 | 12.75 | - | - | - | - | - | - | - |
| W2C | 2860 | 17.15 | - | 1480 | 1720 | 2120 | eBeam (jó) | W, grafit | Porított alapanyag eBeam párologtatásával előállított vékonyrétegekről számoltak be. Az RF porlasztásos leválasztásról széles körben beszámoltak. |
| WTe3 | - | 9.49 | - | - | - | - | - | - | - |
| WO3 | 1473 | 7.16 | - | - | - | 980 | eBeam (jó) | W | A vékonyrétegeket leggyakrabban WO3 por alapanyag felhasználásával állítják elő. |
| fenséges | |||||||||
| U | 1132 | 19.07 | - | 1132 | 1327 | 1582 | eBeam (jó) | W, Mo, grafit | A szegényített urán vékonyrétegek könnyen oxidálódnak még alacsony O2 parciális nyomáson is. |
| UC2 | 2260 | 11.28 | - | - | - | 2100 | - | - | - |
| UO2 | 2176 | 10.9 | - | - | - | - | eBeam (tisztességes) | W | Sztöchiometrikus vékonyrétegeket jelentettek, amelyeket szegényített urán reaktív párologtatásával állítottak elő O2 parciális nyomáson. |
| UF4 | ~ 1000 | - | - | - | - | 300 | - | - | Beszámoltak szegényített urán F– ionokkal történő porlasztásos leválasztásával előállított vékonyrétegekről |
| U3O8 | Bomlik | 8.3 | - | - | - | - | - | - | Jelentések vannak szegényített urán céltárgyak reaktív porlasztásos leválasztásával O2-ben előállított vékonyrétegekről. |
| UP2 | - | 8.57 | - | - | - | 1200 | - | - | - |
| U2S3 | - | - | - | - | - | 1400 | - | - | - |
| V | 1890 | 5.96 | - | 1162 | 1332 | 1547 | eBeam (Xlnt) | W, grafit, Ta | Wets Mo. Az eBeam párologtatása előnyösebb |
| VB2 | 2400 | 5.1 | - | - | - | - | - | - | - |
| VC | 2810 | 5.77 | - | - | - | ~ 1800 | - | - | - |
| VO2 | 1967 | 4.34 | - | - | - | ~ 575 | eBeam (gyenge) | W, grafit | Az eBeam párologtatásával nehéz fenntartani a sztöchiometriát, ezért a porlasztásos leválasztás előnyösebb. |
| fenséges | |||||||||
| VN | 2320 | 6.13 | - | - | - | - | - | - | - |
| V2O5 | 690 | 3.36 | - | - | - | ~ 500 | eBeam (jó) | W, grafit | A porított alapanyagból készült vékonyrétegek közel sztöchiometrikusak. Az utólagos hőkezelés 280°C-on, O2-ben visszaállítja a teljes sztöchiometriát. |
| VSi2 | 1700 | 4.42 | - | - | - | - | - | - | - |
| Yb | 824 | 6.98 | - | 520 | 590 | 690 | eBeam (jó) | Al₂O₃, W, Ta | Az Yb párologtatási forrásanyagát N2 exszikkátorban tárolja az oxidáció csökkentése érdekében. |
| fenséges | |||||||||
| YbF3 | 1157 | 8.17 | - | - | - | ~ 800 | eBeam (tisztességes) | Ta, Mo, W | Lassan melegítse elő és párolja be |
| ≤ 10 Å/sec a disszociáció mérséklésére | |||||||||
| Yb2O3 | 2346 | 9.17 | - | - | - | ~ 1500 | eBeam (tisztességes) | Al₂O₃, W, Ta | 8 x 10-5 torr OXNUMX-ben reaktív párologtatással előállított vékonyrétegek |
| 2 | |||||||||
| fenséges | jelentették. | ||||||||
| Y | 1509 | 4.48 | - | 830 | 973 | 1157 | eBeam (Xlnt) | W, Al₂O₃ | A 300°C-ra történő melegítés javítja a tapadást és a film simaságát |
| Y3Al5O12 | 1990 | - | - | - | - | - | eBeam (jó) | W, Al₂O₃ | Porított alapanyagból, jellemzően adalékanyagokkal előállított filmek. A YAG-filmek leválasztás utáni, 1100°C-on vákuumban történő hőkezelése javítja a kristályosságot. |
| YF3 | 1387 | 4.01 | - | - | - | - | eBeam (jó) | W, Ta, Mo, Al₂O₃ | eBeam párolgása sebességgel |
| ≤ 10 Å/sec és 200°C szubsztrát hőmérséklet esetén jó tapadású kristályos filmeket hoz létre | |||||||||
| Y2O3 | 2680 | 4.84 | - | - | - | ~ 2000 | eBeam (jó) | grafit, W | Az eBeam párologtatott filmjei oxigénhiányosak lehetnek, a lerakódás utáni hőkezelés |
| 10-3 torr O525 nyomáson XNUMX°C-on a következő eredményeket kapjuk: | |||||||||
| 2 | |||||||||
| fenséges | sztöchiometrikus filmek. | ||||||||
| Zn | 419 | 7.14 | 0.514 | 127 | 177 | 250 | eBeam (Xlnt) | W, Al₂O₃, kvarc, grafit | Széleskörű párolgási körülmények között is jól párolog |
| Zn3Sb2 | 546 | 6.3 | - | - | - | - | - | - | - |
| ZnBr2 | 394 | 4.22 | - | - | - | ~ 300 | - | - | - |
| ZnF2 | 87 | 4.84 | - | - | - | ~ 800 | eBeam (tisztességes) | kvarc, W | Porított alapanyag eBeam párologtatásával előállított vékonyrétegekről már beszámoltak. A szubsztrát 400°C-on történő melegítése javította a kristályosságot. |
| Zn3N2 | - | 6.22 | - | - | - | - | - | - | Reaktív porlasztásos lerakódásról számoltak be N2-ben |
| ZnO | 1975 | 5.61 | - | - | - | ~ 1800 | eBeam (tisztességes) | kvarc, W | 8 Å/s sebességű eBeam párologtatással és 300 °C szubsztráthőmérséklettel előállított minőségi vékonyrétegekről számoltak be. |
| ZnSe | 1526 | 5.42 | - | - | - | 660 | eBeam (tisztességes) | Ny, Ta, Mo, | ≤ 5 Å/s lerakódási sebesség. A vékonyrétegek polikristályosak, és a 300°C-os szubsztráthőmérséklet javítja a tapadást és a kristályok méretét. |
| kvarc | |||||||||
| ZnS | 1830 | 4.09 | - | - | - | ~ 800 | eBeam (jó) | Ny, Ta, Mo, | Az eBeam párologtatásával előállított vékonyrétegek előnyös (111) orientációt mutatnak, és a legjobb optikai tulajdonságokat 400 °C-os szubsztráthőmérséklet adja. |
| fenséges | kvarc | ||||||||
| ZnTe | 1238 | 6.34 | - | - | - | ~ 600 | eBeam (tisztességes) | Ny, Ta, Mo, | Az eBeam párologtatásával előállított sztöchiometrikus vékonyrétegek jó tulajdonságokkal rendelkeznek |
| kvarc | kristályosság 230°C szubsztrát hőmérséklet mellett. Az optikai tulajdonságok vastagságfüggőek | ||||||||
| ZrSiO4 | 2550 | 4.56 | - | - | - | - | - | - | - |
| Zr | 1852 | 6.4 | - | 1477 | 1702 | 1987 | eBeam (Xlnt) | W, kvarc | W-t tartalmazó ötvözetek. A vékony filmek könnyen oxidálódnak |
| ZrB2 | 3040 | 6.08 | - | - | - | - | eBeam (jó) | W, kvarc | Sztöchiometrikus filmek előállítása |
| Zr és B együttes párolgásáról számoltak be | |||||||||
| ZrC | 3540 | 6.73 | - | - | - | ~ 2500 | eBeam (gyenge) | grafit | Impulzuslézeres leválasztással előállított, kiváló minőségű ZrC vékonyrétegekről számoltak be. |
| ZrN | 2980 | 7.09 | - | - | - | - | - | - | Beszámoltak a ZrN vékonyrétegeinek előállításáról N2-ionnal segített Zr-elpárologtatással |
| ZrO2 | 2700 | 5.49 | - | - | - | ~ 220 | eBeam (jó) | W, grafit | Reaktív párolgás 10⁻³ torr O₂-ban |
| 2 | |||||||||
| sztöchiometrikus lerakódásként keletkezik | |||||||||
| filmek. Az eBeam párologtatott filmek esetében az O2-ben történő utólagos leválasztással történő hőkezelés visszaállítja a sztöchiometriát | |||||||||
| ZrSi2 | 1700 | 4.88 | - | - | - | - | - | - | Az eBeam által Si-hordozóra párologtatott Zr ZrSi2-t képez a 600°C-on történő utólagos hőkezelést követően |
A párologtatásos bevonat előnyei
Nagy tisztaságú vékonyréteg
A párologtatásos bevonatolást nagyvákuumban végzik, és a vákuum mértéke általában elérheti a 10⁻6 Pa-t vagy akár magasabbat is. Ez nagymértékben csökkenti annak esélyét, hogy a levegőben lévő szennyeződések, például az oxigén, a nitrogén és a vízgőz reakcióba lépjenek az elpárologtatott atomokkal vagy molekulákkal, és megakadályozza a szennyeződésrészecskék keveredését a filmbe.
Jó filmegyenletesség
A párologtatásos bevonatolás során a párolgási forrás alakját és helyzetét, valamint az aljzat mozgását (például az aljzat forgását) úgy tervezik meg, hogy az elpárologtatott atomok vagy molekulák egyenletesen rakódjanak le az aljzat felületén. Ez hatékonyan kiküszöböli a filmvastagság radiális különbségét.
Low Cost
Néhány más vékonyréteg-előállítási technológiához (például kémiai gőzfázisú leválasztás, porlasztásos bevonat stb.) képest a párologtatásos bevonóberendezések szerkezete viszonylag egyszerű, és a vékonyrétegek gyártási költsége viszonylag alacsony.
Gyors lerakódási sebesség
A párologtatásos bevonatolás magas lerakódási sebességet érhet el, amely általában elérheti a néhány nanométertől a több tíz nanométerig terjedő másodpercenkénti értéket. Ez a hatékonyság javítását, a költségek csökkentését és az aljzat szennyeződésének kockázatának csökkentését jelenti.
Széleskörű anyagadaptáció
A párologtatásos bevonási technológia számos anyagra alkalmazható, beleértve a fémeket, nemfémeket, vegyületeket és néhány szerves anyagot. Ez lehetővé teszi, hogy a párologtatásos bevonási technológia kielégítse a vékonyréteg-anyagok iránti sokrétű igényeket a különböző területeken.
Erős kötőerő
A párolgási paraméterek (például az aljzat hőmérséklete és a párolgási sebesség) szabályozásával hatékonyan beállítható a film és az aljzat közötti kötési erő. Ez lehetővé teszi az atomok szorosabb kötődését az aljzat felületéhez.
A párologtatásos bevonat hátrányai
Bár a párologtatásos bevonatolásnak számos előnye van, a gyakorlati alkalmazásokban vannak bizonyos hátrányai és korlátai. Ezek a hátrányok bizonyos mértékig korlátozzák az alkalmazását bizonyos területeken.
Nagy tisztaságú vékonyréteg
A párologtatásos bevonatolást nagyvákuumban végzik, és a vákuum mértéke általában elérheti a 10⁻6 Pa-t vagy akár magasabbat is. Ez nagymértékben csökkenti annak esélyét, hogy a levegőben lévő szennyeződések, például az oxigén, a nitrogén és a vízgőz reakcióba lépjenek az elpárologtatott atomokkal vagy molekulákkal, és megakadályozza a szennyeződésrészecskék keveredését a filmbe.
Nem kompatibilis a magas olvadáspontú anyagokkal
Magas olvadáspontú anyagok (például volfrám, molibdén, szilícium-karbid stb.) esetében a párolgási hőmérséklet rendkívül magas, általában eléri a több ezer Celsius-fokot. Ezeket az anyagokat nehéz a párolgási hőmérsékletre melegíteni.
Nagy filmfeszültség
A vékonyrétegek növekedését számos tényező befolyásolja (például az aljzat és a film hőtágulási együtthatójának különbsége, a túl gyors atomleválasztási sebesség stb.), ami nagy feszültséget eredményez a film belsejében.
Az összetett anyagok könnyen lebomlanak
A szerves vegyületek molekulaszerkezete viszonylag összetett. Melegítés és párolgás során a molekulák közötti kémiai kötések felszakadhatnak, ami a szerves anyagok bomlását okozhatja.
Párolgásos bevonat felhordása
Egyedülálló előnyeinek köszönhetően a párologtatásos bevonatolási technológiát számos területen széles körben alkalmazzák, és fontos technikai támogatást nyújtott a különböző iparágak fejlődéséhez.
Érzékelő
Számos érzékelő (például hőmérséklet-érzékelők, gázérzékelők, nyomásérzékelők stb.) érzékeny elemei bevonattechnológiai támogatást igényelnek. Például a gázérzékelőkben a fém-oxid filmeket (például cink-oxid, ón-oxid stb.) párologtatásos bevonattal állítják elő. Ez érzékeny elektromos tulajdonságváltozásokkal rendelkezik bizonyos gázokra, és a gáz detektálása az ellenállásváltozások detektálásával érhető el. A párologtatásos bevonatolási technológia pontosan szabályozhatja a film vastagságát és összetételét az érzékelő érzékenységének és stabilitásának biztosítása érdekében.
Optika
A párologtatásos bevonatolási technológiát széles körben alkalmazzák optikai lencsék bevonására, beleértve a tükröződésmentes fóliát, a nagy fényvisszaverő képességű fóliát, a szűrőt stb. Az olyan adathordozókon, mint az optikai lemezek (például CD, DVD, Blu-ray lemez), a párologtatásos bevonatot fényvisszaverő réteg és rögzítő réteg előállítására használják. A napelemek központi eleme a félvezető film, amely elnyeli a napfényt és elektromos energiává alakítja azt. A párologtatásos bevonatolási technológia támogatja a napelemekben található különféle filmek előállítását, például átlátszó vezetőképes film (ITO film), elektróda film, abszorpciós réteg film stb.
orvosi
Egyes orvostechnikai eszközök (például szikék, fecskendők, mesterséges ízületek stb.) felületkezelést igényelnek a teljesítményük és biokompatibilitásuk javítása érdekében. A párologtatásos bevonatolási technológia támogatja a biokompatibilis filmek, például titánfilmek, titán-nitrid filmek stb. lerakódását az orvostechnikai eszközök felületére. Javítja az eszköz kopásállóságát, korrózióállóságát és biokompatibilitását.
Összegzés
A párologtatásos bevonatolás fontos fizikai gőzleválasztási technológiaként több mint száz éve fejlődik, és viszonylag teljes elméleti rendszert és diverzifikált eljárásokat alkotott. A korai egyszerű ellenállás-párologtatástól a mai fejlett technológiákig, mint például a lézeres párologtatás és az elektronsugaras párologtatás, a párologtatásos bevonatolás folyamatos innováció révén bővíti alkalmazási határait. Alapelve, hogy a bevonóanyagot gáz halmazállapotú atomokká vagy molekulákká párologtatja el egy speciális melegítési módszerrel nagy vákuumkörnyezetben. Ezeket a részecskéket vákuumban továbbítják, és a hordozó felületére rakják le, majd adszorpció, diffúzió, nukleáció és növekedés révén vékony filmet képeznek.