スパッタリングターゲット粉末冶金サービス
粉末冶金はスパッタリングターゲットの製造において重要な役割を果たし、さまざまな業界のスパッタリングターゲットの高精度かつ高品質の加工要件を満たすことができます。
- 公差: +/-0.005mm
- ISO 9001：2016認定
- 寸法: 2mm-400mm
- セラミックスパッタリングターゲット
- 純金属スパッタリングターゲット
チタンワークショップ
当社の強力な施設
粉末冶金スパッタリングターゲットメーカー
スパッタリングターゲット スパッタリングターゲットは、半導体、フラットパネルディスプレイ、太陽電池など、多くのハイテク分野で広く使用されている重要な材料です。その品質と性能は、最終製品の品質と性能に直接影響します。粉末冶金技術は、独自の利点により、スパッタリングターゲットの製造においてますます重要な役割を果たしています。Wstitaniumは、粉末冶金分野における深い技術蓄積と継続的な革新により、スパッタリングターゲット製造分野において優れた業界ベンチマークを確立しています。当社は、世界中のお客様に高品質でカスタマイズされたスパッタリングターゲットソリューションを提供することに注力しています。
粉末冶金とは何ですか?
粉末冶金は、粉末（金属またはセラミックと非金属の粉末の混合物）を原料とし、成形・焼結を経て、金属、セラミック、複合材料などの各種スパッタリングターゲットを製造するプロセス技術です。その基本原理は、粉末粒子間の機械的噛み合いと原子拡散を利用し、融点以下の温度で粉末粒子を結合させることで、所定の形状、サイズ、性能を有するスパッタリングターゲットを形成することです。
- 1. 粉末の製造
粉末状に加工できる金属やセラミックであれば、原料として使用できます。一般的な粉末製造技術としては、機械粉砕、噴霧、還元などがあります。製造方法の違いによって、粉末の粒子サイズ、形状、純度、活性が異なります。
- 2.粉末混合
スパッタリングターゲットの組成の均一性を確保するため、異なる成分の粉末を一定の割合で均一に混合します。混合工程は、機械撹拌、ボールミル粉砕などによって行うことができます。
- 3. 圧縮成形
混合粉末に圧力を加えて、所望の形状のブランクを成形します。一般的な成形方法には、圧縮成形、等方圧成形、射出成形などがあります。成形プロセスの選択は、対象物の形状、サイズ、および精度要件によって異なります。
- 4.焼結
保護ガス雰囲気下でブランク材を一定温度まで加熱することで、原子拡散と粒子間の冶金結合が促進され、密度と強度が向上します。焼結はターゲット材の最終的な性能に決定的な影響を与えます。
- 5.仕上げ
図面に指定された要件に従って、焼結スパッタリングターゲットは、CNC加工、研削、穴あけ、熱処理、表面処理などのさらなる加工が施され、最終的な性能と寸法精度が得られます。
- 6.品質検査
分光法、質量分析法、蛍光X線分光法などの技術を利用して、対象の化学組成を正確にテストし、対象の純度と組成が要件を満たしていることを確認します。
チタン圧縮成形能力
圧縮成形は、スパッタリングターゲットに初期形状を与えるための重要なプロセスです。金属やセラミックスなどの原料粉末を、専用の金型と圧力印加により、平板、角型、円筒形、不規則形など、所望の形状に加工することができます。フラットパネルディスプレイの製造に使用される平板ターゲットは、圧縮成形によって大面積かつ高精度な平板形状に精密に成形する必要があります。圧縮成形における形状偏差が後工程で修正困難な場合、スパッタリング装置におけるターゲットの適合性やコーティングの均一性に直接影響を及ぼします。WSTITANIUNは、スパッタリングターゲットの圧縮成形に3つの技術を有しています。
- 最小サイズ: 1×2×2 mm
- 最大サイズ:200×200×80 mm
- 最小壁厚: 0.4 mm
- 最大壁厚：80 mm
- 最小正味重量: 0.1 g
- 最大正味重量: 750 g
- 精密設計基準: 0.1% 部品サイズ
- 最小許容誤差: ± 0.02 mm
- コスト効率の良い最小注文数量: 100個
- 最大効率: 30日あたりXNUMX万個
圧縮成形
圧縮成形は、WSTITANIUNがスパッタリングターゲットを製造する際に用いる一般的な成形プロセスの一つです。当社は、プレス圧力、速度、保持時間などのパラメータを正確に制御できる先進的な圧縮成形設備を導入しています。圧縮成形工程では、前処理済みの粉末を特定の形状の金型に入れ、プレス機を通して金型に圧力を加え、粉末を金型内で圧縮します。形状が単純でサイズが小さいターゲットの場合、圧縮成形は高品質のブランクを効率的に製造できます。ブランクの密度と均一性を向上させるため、双方向圧縮や多重圧縮などの技術を採用し、粉末に適量の潤滑剤を添加することで、粉末と金型間の摩擦を低減し、より均一な圧力伝達を確保しています。
複雑な形状のスパッタリングターゲットの場合、射出成形は理想的な成形プロセスです。まず、金属またはセラミック粉末を適量のバインダーと十分に混合し、流動性に優れた射出材料を作製します。バインダーの配合と混合プロセスを最適化することで、射出材料の品質と安定性を確保します。次に、射出材料を射出成形機内で適切な温度に加熱して流動性を高め、射出成形機のスクリューまたはプランジャーを介して高速で金型キャビティに注入します。射出プロセス中は、射出圧力、速度、温度などのパラメータを精密に制御し、射出材料が金型キャビティに均一に充填されるようにすることで、高精度のブランクを形成します。射出成形後のブランクは、脱脂や焼結などの後続処理を経て、最終目標製品が得られます。
静水圧プレス
等方圧プレスは、WSTITANIUNが大型で複雑なスパッタリングターゲットを製造するための重要なプロセスです。冷間等方圧プレスは、粉末を弾性金型に充填し、密封して高圧容器に入れ、液体媒体（水、油など）を介して均一に圧力を加えることで、粉末があらゆる方向に同じ圧力で圧縮されて成形されます。熱間等方圧プレスは、粉末またはグリーン体を密封パッケージに入れ、高温高圧環境下の熱間等方圧プレス装置に入れることで、粉末が圧縮されるだけでなく、ある程度焼結され、グリーン体の密度と強度が大幅に向上します。等方圧プレスプロセスでは、圧力、温度、保持時間などのパラメータを厳密に制御して、成形品質の安定性と一貫性を確保する必要があります。
– 冷間等方圧プレス装置WSTITANIUNは、様々な仕様の冷間静水圧プレス装置を多数保有しています。圧力範囲は通常50MPaから300MPaで、均一かつ安定した圧力で粉末を圧縮できます。これらの装置は、先進的な高圧容器設計とシーリング技術を採用し、高圧環境下における安全性と信頼性を確保しています。また、高精度圧力制御システムを搭載し、圧力の大きさと保持時間を正確に調整できます。圧力制御精度は±0.5MPaに達します。さらに、冷間静水圧プレス装置は自動ローディング・アンローディングシステムを備えており、生産効率を向上させ、手動操作による誤差を低減します。
– 熱間静水圧プレス装置：熱間静水圧プレス装置は、WSTITANIUNが高性能スパッタリングターゲットを製造するための主要設備の一つです。この装置は、粉末またはブランクを高温（最大2000℃）・高圧（最大200MPa）環境で処理することで、ターゲットの密度、強度、および総合的な性能をさらに向上させることができます。熱間静水圧プレス装置は、グラファイト抵抗加熱、モリブデン線加熱などの先進的な加熱システムを採用しており、急速加熱と精密な温度制御を実現し、温度制御精度は±5℃に達します。圧力システムは先進的な油圧駆動技術を採用し、必要な圧力を安定的に供給できます。
粉末冶金材料
物理蒸着法（PVA）では、スパッタリングターゲットの純度、密度、微細構造、形状精度に厳しい要件が課せられます。ターゲットはそれぞれ独自の物理的・化学的特性を持つため、様々な分野で様々な種類のターゲットが使用されています。一般的なターゲット材料には、純金属ターゲット（3N、3N5、4N、4N5、5N、6Nなど）、セラミックターゲット、合金ターゲット、希土類ターゲットなどがあります。WSTITANIUNの材料科学者は、材料科学における深い理論的基盤を有しており、お客様に最適なスパッタリングターゲットソリューションを提供できます。スパッタリングターゲットの性能に対する様々な応用分野の要件に応じて、材料組成を精密に設計します。
純金属スパッタリングターゲット
- ゴールド（Au）
- シルバー（Ag）
- ニッケル（Ni）
- 銅（Cu）
- チタン（Ti）
- タングステン（W）
- アルミニウム（Al）
- クロム（Cr）
- ルテニウム（Ru）
- モリブデン（Mo）
- インジウム（In）
- プラチナ（Pt）
- ハフニウム(Hf)
- バナジウム（V）
- ニオブ(Nb)
- ロジウム（Rh）
- タンタル (Ta)
- ジルコニウム (Zr)
- パラジウム（Pd）
- マンガン（Mn）
セラミックスパッタリングターゲット
- 酸化亜鉛（ZnO）
- 酸化イットリウム（Y₂O₃）
- 窒化チタン（TiN）
- インジウムスズ酸化物（ITO）
- 二酸化チタン（TiO₂）
- 窒化アルミニウム(AlN)
- 酸化アルミニウム (Al₂O₃)
- 二酸化ジルコニウム (ZrO₂)
- 酸化マグネシウム（MgO）
- チタン酸バリウム（BaTiO₃）
- 硫化亜鉛（ZnS）
- 窒化ホウ素（BN）
- 炭化ケイ素（SiC）
- セレン化亜鉛 (ZnSe)
- 酸化セリウム（CeO₂）
- 酸化スカンジウム（Sc₂O₃）
- 酸化ランタン（La₂O₃、
- タンタル酸リチウム（LiTaO₃）
- テルル化カドミウム (CdTe)
- チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）
希土類合金スパッタリングターゲット
- 酸化セリウム（CeO₂）
- 酸化テルビウム（Tb₄O₇）
- 酸化ホルミウム（Ho₂O₃）
- 酸化ユーロピウム（Eu₂O₃）
- 酸化サマリウム（Sm₂O₃）
- 酸化ランタン（La₂O₃）
- 酸化ガドリニウム（Gd₂O₃）
- 酸化ジスプロシウム（D y₂O₃）
- 酸化ネオジム（Nd₂O₃）
- 酸化プラセオジム（Pr₆O₁₁）
- イットリウム (Y)
- NdFeB合金
- スカンジウム (Sc)
- 酸化エルビウム（Er₂O₃）
- 酸化ツリウム (Tm₂O₃)
- 酸化ルテチウム (Lu₂O₃)
- 酸化イッテルビウム（Yb₂O₃）
- ランタン-セリウム合金
- テルビウム添加イットリウムアルミネート
- ユーロピウム添加酸化イットリウム（Y₂O₃:Eu）
合金スパッタリングターゲット
- ニッケル鉄合金（NiFe）
- 銀銅合金（AgCu）
- ニッケルバナジウム合金（NiV）
- アルミニウムニッケル合金（AlNi）
- ニッケルアルミニウム合金（NiAl）
- タングステンチタン合金（WTi）
- クロムニッケル合金（CrNi）
- コバルトクロム合金（CoCr）
- タンタルニオブ合金（TaNb）
- ジルコニウムチタン合金（ZrTi）
- 鉄コバルト合金（FeCo）
- チタン亜鉛合金（TiZn）
- 亜鉛アルミニウム合金（ZnAl）
- チタンニッケル合金（TiNi）
- チタンシリコン合金（TiSi）
- アルミニウムシリコン合金（AlSi）
- ニッケルクロム合金（NiCr）
- クロムシリコン合金（CrSi）
- チタンアルミニウム合金（TiAl）
- チタンジルコニウム合金（TiZr）
スパッタリングターゲットギャラリー
